MSR820AJC288-12
制造商: MOSYS, INC.
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 存储器
描述: 1T-SRAM 存储器 IC 576Mb 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA（19x19）
物料参数
| DigiKey 可编程: | 未验证 |
| 存储器类型: | 易失 |
| 存储器格式: | SRAM |
| 技术: | 1T-SRAM |
| 存储容量: | 576Mb |
| 存储器组织: | 8M x 72 |
| 存储器接口: | 并联 |
| 时钟频率: | 1.25 GHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 2.6 ns |
| 电压 - 供电: | 0.95V |
| 工作温度: | 0°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 324-BGA |
| 供应商器件封装: | 324-PBGA（19x19） |
无库存